P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 1+: ¥0.54804 / 个 (折合1圆盘0.55元)
- 500+: ¥0.538906 / 个 (折合1圆盘0.54元)
- 2000+: ¥0.516071 / 个 (折合1圆盘0.52元)
- 5000+: ¥0.506937 / 个 (折合1圆盘0.51元)
1+: |
¥0.54804 / 个 (折合1圆盘0.55元) |
500+: |
¥0.538906 / 个 (折合1圆盘0.54元) |
2000+: |
¥0.516071 / 个 (折合1圆盘0.52元) |
5000+: |
¥0.506937 / 个 (折合1圆盘0.51元) |
商品介绍
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
功率(Pd) | 1.4W | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 48mΩ@10V,4.3A | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 16nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 830pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.3A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):48 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):830pF @ 15V
功率 - 最大值:1.4W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3L