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AO4407A

环保标识
  • 1个P沟道 耐压:30V 电流:12A

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V

  • 品牌名称AOS
  • 商品型号

    AO4407A
  • 商品编号

    C16072
  • 商品封装

    SOIC-8
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.205克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@20V,12A
功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.7V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)39nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.6nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)295pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):12A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11 毫欧 @ 12A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2600pF @ 15V
功率 - 最大值:3.1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC

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