商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
AO4407A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON),并在25V栅极额定电压下实现超低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。标准产品AO4407A无铅(符合ROHS和索尼259规范)。
商品特性
- 经过UIS测试!
- 经过RG、CISS、COSS、CRSS测试!
- SOIC-8封装