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AO4411
1个P沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- P沟道,-30V,-8A,32mΩ@-10V
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4411
- 商品编号
- C19234
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF |
商品概述
AO4411采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和超低的栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS(V) = -30V
- ID = -8A (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 32mΩ (VGS = -10V)
- RDS(ON) < 55mΩ (VGS = -4.5V)
- SOIC - 8