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AO4441
1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- P沟道,-60V,-4A,100mΩ@-10V
- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AO4441
- 商品编号
- C22199
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
AO4441采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和超低的栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- CC2541F256RHAR
- SDCL1608C1N5STDF
- 1210B103K102CT
- TAJC335K035RNJ
- TMS320F2812PGFA
- INA128UA/2K5
- ADV7123KSTZ140
- BCP56,115
- ADS8320EB/2K5
- SWRH1205B-101MT
- ADUM1301ARWZ-RL
- 0402WGF1504TCE
- ATTINY2313A-SUR
- TAJD337M006RNJ
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- MSP430G2553IPW28
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- LQW15AN47NG00D
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- MSP430G2332IPW20R