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NTR4502PT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:1.13A
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- 描述
- P沟道,-30V,-1.95A,200mΩ@-10V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR4502PT1G
- 商品编号
- C12325
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@4.5V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 领先的平面技术，实现低栅极电荷/快速开关
- 低RDS(ON)，降低传导损耗
- SOT-23表面贴装，占用空间小（3 X 3 mm）
- AEC Q101认证 - NVTR4502P
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 直流到直流转换-便携式设备和计算机的负载/电源开关-主板、笔记本电脑、摄像机、数码相机等-电池充电电路