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FDV304P

1个P沟道耐压:25V 电流:0.46A

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描述: 此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计，如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDV304P
商品编号: C10884
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：460mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：1.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：63pF @ 10V
功率 - 最大值：350mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	25V
	连续漏极电流(Id)	460mA
	导通电阻(RDS(on))	1.5Ω@2.7V
	耗散功率(Pd)	350mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.5V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	1.1nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	63pF
	反向传输电容(Crss)	10pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道