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FDV304P
1个P沟道 耐压:25V 电流:0.46A
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- 描述
- 此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计，如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDV304P
- 商品编号
- C10884
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 460mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 63pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道增强型场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在将低栅极驱动条件下的导通电阻降至最低。该器件专为笔记本电脑和手机等电池供电应用而设计。即使在低至2.5伏的栅极驱动电压下，该器件也具有出色的导通电阻。
商品特性
- -25 V，-0.46 A连续电流，-1.5 A峰值电流。
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 1.1 Ω
- 当VGS = -2.7 V时，RDS(ON) = 1.5 Ω。
- 极低的栅极驱动要求，允许在3V电路中直接运行。VGS(th) < 1.5V。
- 具备栅源齐纳二极管，增强ESD耐受性。人体模型>6kV
- 采用紧凑的行业标准SOT-23表面贴装封装。
应用领域
- 笔记本电脑-手机