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FDMS2672
1个N沟道 耐压:200V 电流:20A
- 描述
- UItraFET 器件结合了各种特性，可在电源转换应用中提供标杆式效率。此类器件针对 rDS(on)、低 ESR、低总电荷和 Miller 门极电荷而优化，适用于高频 DC/DC 转换器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS2672
- 商品编号
- C10881
- 商品封装
- Power56-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@6V,3.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
这款60V P沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺，针对电源管理应用进行了优化。
商品特性
- -3 A、-60 V。导通状态下的漏源电阻（RDS(ON)） = 0.105 Ω，栅源电压（VGS） = -10 V
- 导通状态下的漏源电阻（RDS(ON)） = 0.135 Ω，栅源电压（VGS） = -4.5 V
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通状态下的漏源电阻（RDS(ON)）
应用领域
-DC-DC转换器-负载开关-电源管理