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FDN336P

1个P沟道耐压:20V 电流:1.3A

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描述: 此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用：负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FDN336P
商品编号: C10882
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.3A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：200 毫欧 @ 1.3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：330pF @ 10V
功率 - 最大值：460mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SuperSOT-3

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	1.3A
	导通电阻(RDS(on))	270mΩ@2.5V,1.1A
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	3.6nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	330pF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-
	配置	-
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	-