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FDN336P
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.3A
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- 描述
- 此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。 此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和功率管理、电池充电电路和DC/DC转换。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDN336P
- 商品编号
- C10882
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 330pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款指定为2.5V的P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合便携式电子应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换。
商品特性
- -1.3 A,-20 V。在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.20 Ω
- 在VGS = -2.5 V时,RDS(ON) = 0.27 Ω
- 低栅极电荷(典型值为3.6 nC)
- 高性能沟槽技术,可实现极低的RDS(ON)
- 行业标准SOT - 23封装的高功率版本。引脚输出与SOT - 23相同,但功率处理能力提高30%
应用领域
- 便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路以及DC/DC转换