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FDD8444
1个N沟道 耐压:40V 电流:145A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD8444
- 商品编号
- C10869
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.4mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 153W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.195nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 332pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 585pF |
商品特性
- 获得无铅产品认证
- 表面贴装封装
- 低漏源导通电阻（RDS(on)）的P沟道开关
- 低逻辑电平栅极驱动操作
应用领域
-负载/电源开关-接口、逻辑开关-超小型便携式电子设备的电池管理