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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD8444

1个N沟道 耐压:40V 电流:145A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD8444
商品编号
C10869
商品封装
TO-252(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.438克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)145A
导通电阻(RDS(on))9.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)153W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)116nC@10V
输入电容(Ciss)6.195nF
反向传输电容(Crss)332pF
工作温度-55℃~+175℃
类型-
输出电容(Coss)585pF

商品特性

  • 在 VGS = 10 V、ID = 50 A 条件下,典型 rDS(on) = 4 m Ω
  • 在 VGS = 10 V 条件下,典型 Qg(10) = 89 nC
  • 低米勒电荷
  • 低 Qrr 体二极管
  • 具有单脉冲/重复脉冲的非钳位感性开关(UIS)能力
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 汽车发动机控制
  • 动力系统管理
  • 螺线管和电机驱动器
  • 电子变速器
  • 分布式电源架构和电压调节模块(VRM)
  • 12V 系统的初级开关

数据手册PDF