SI2301CDS-T1-GE3
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2301CDS-T1-GE3
- 商品编号
- C10487
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
导通电阻(RDS(on)) | 112mΩ@4.5V,2.8A | |
耗散功率(Pd) | 860mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | |
反向传输电容(Crss) | 55pF@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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