Si2302CDS-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.9A
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描述
N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V
- 品牌名称VISHAY(威世)
商品型号
Si2302CDS-T1-GE3商品编号
C10488商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
导通电阻(RDS(on)) | 57mΩ@4.5V,3.6A | |
耗散功率(Pd) | 550mW |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 850mV | |
栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@4.5V | |
输入电容(Ciss@Vds) | - | |
反向传输电容(Crss) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 4.5V
功率 - 最大值:710mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.6A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):57 毫欧 @ 3.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):850mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):5.5nC @ 4.5V
功率 - 最大值:710mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
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