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品 牌：
VISHAY(威世)
厂家型号：
Si2302CDS-T1-GE3
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商品编号：
C10488
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封装：
SOT-23
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包装方式：
编带
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商品介绍
N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 功率(Pd) | 710mW | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 57mΩ@4.5V,3.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 850mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 5.5nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.6A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：850mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5.5nC @ 4.5V
功率 - 最大值：710mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
数据手册PDF
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