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SIHP18N50C-E3
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- N沟道,560V,18A,225mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHP18N50C-E3
- 商品编号
- C11739
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 223W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：76nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2942pF @ 25V
功率 - 最大值：223W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：270 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：76nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2942pF @ 25V
功率 - 最大值：223W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
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