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FGL40N120ANDTU

1.2kV 64A

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描述: 安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: FGL40N120ANDTU
商品编号: C11754
商品封装: TO-264-3
包装方式: 管装
商品毛重: 12.408克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	NPT(非穿通型)
	集射极击穿电压(Vces)	1.2kV
	集电极电流(Ic)	64A
	耗散功率(Pd)	500W
	输出电容(Coes)	370pF
	正向脉冲电流(Ifm)	240A
	集射极饱和电压(VCE(sat))	3.2V@40A,15V
	栅极阈值电压(Vge(th))	3.5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	220nC@15V
	输入电容(Cies)	3.2nF
	开启延迟时间(Td(on))	15ns
	关断延迟时间(Td(off))	110ns
	导通损耗(Eon)	2.3mJ
	关断损耗(Eoff)	1.1mJ
	反向恢复时间(Trr)	75ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)
	反向传输电容(Cres)	125pF

IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：64A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：160A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：3.2V @ 15V，40A
功率 - 最大值：500W
开关能量：2.3mJ（开），1.1mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：220nC
25°C 时 Td（开/关）值：15ns/110ns
测试条件：600V，40A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：112ns
封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-264

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