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FGL40N120ANDTU
1.2kV 64A
- 描述
- 安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FGL40N120ANDTU
- 商品编号
- C11754
- 商品封装
- TO-264-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.408克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 64A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 输出电容(Coes) | 370pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 240A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.2V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 220nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 3.2nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.3mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 75ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 125pF |
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