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HGTG11N120CND
1.2kV 43A
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- 描述
- 非穿通 (NPT) IGBT 设计，是 MOS 门控高压开关 IGBT 系列的新成员。IGBT 结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性，具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。适用于许多需要低传导损耗的中高频高压开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HGTG11N120CND
- 商品编号
- C11755
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 43A | |
| 耗散功率(Pd) | 298W | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.4V@11A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V@90uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | - | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 26ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 240ns | |
| 导通损耗(Eon) | 950uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.3mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 70ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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