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HGTG11N120CND

1.2kV 43A

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描述: 非穿通 (NPT) IGBT 设计，是 MOS 门控高压开关 IGBT 系列的新成员。IGBT 结合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性，具有 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。适用于许多需要低传导损耗的中高频高压开关应用。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: HGTG11N120CND
商品编号: C11755
商品封装: TO-247AC-3
包装方式: 管装
商品毛重: 7.045克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	NPT(非穿通型)
	集射极击穿电压(Vces)	1.2kV
	集电极电流(Ic)	43A
	耗散功率(Pd)	298W
	集射极饱和电压(VCE(sat))	2.4V@11A,15V
	栅极阈值电压(Vge(th))	6V@90uA
	栅极电荷量(Qg)	120nC@15V

IGBT 类型：NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：43A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：80A
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.4V @ 15V，11A
功率 - 最大值：298W
开关能量：950μJ（开），1.3mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：100nC
25°C 时 Td（开/关）值：23ns/180ns
测试条件：960V，11A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：70ns
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247

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	属性	参数值
	输入电容(Cies)	-
	开启延迟时间(Td(on))	26ns
	关断延迟时间(Td(off))	240ns
	导通损耗(Eon)	950uJ
	关断损耗(Eoff)	1.3mJ
	反向恢复时间(Trr)	70ns
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)