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SIHG20N50C-E3
1个N沟道 耐压:500V 电流:20A 停产
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- 描述
- N沟道,560V,20A,270mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHG20N50C-E3
- 商品编号
- C11745
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.942nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 具有低品质因数 Ron × Qg
- 经过 100% 雪崩测试
- 具备高脉冲电流能力
- 具有 dV/dt 鲁棒性
- 改善了反向恢复时间 Trr/反向恢复电荷 Qrr
- 改善了栅极电荷
- 具备高功率耗散能力
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC