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SI2328DS-T1-E3

1个N沟道耐压:100V 电流:1.15A

描述: N沟道,100V,1.5A,250mΩ@10V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI2328DS-T1-E3
商品编号: C14519
商品封装: SOT-23
包装方式: 编带
商品毛重: 0.035克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.15A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：5nC @ 10V
功率 - 最大值：730mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)

个

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	1.5A
	导通电阻(RDS(on))	250mΩ@10V,1.5A
	耗散功率(Pd)	1.25W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	4nC@10V
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	-