温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD6685
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 P 沟道 MOSFET 是先进的 PowerTrench 工艺的坚固门极版本。它针对需要较宽门极驱动电压额定值 (4.5V – 25V) 的电源管理应用进行了优化。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDD6685
- 商品编号
- C10866
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.715nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 440pF |
商品特性
- -40 A,-30 V。RDS(ON) = 20 m Ω(VGS = -10 V时)
- RDS(ON) = 30 m Ω(VGS = -4.5 V时)
- 开关速度快
- 高性能沟槽技术,实现极低的\mathsfRDS(ON)
- 具备高功率和高电流处理能力
- 符合AEC Q101标准
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- DC/DC 转换器