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SPA06N60C3

1个N沟道耐压:650V 电流:6.2A

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描述: N沟道,650V,6.2A,750mΩ@10V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: SPA06N60C3
商品编号: C10464
商品封装: TO-220F-3
包装方式: 管装
商品毛重: 2.815克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.2A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：750 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 260μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：620pF @ 25V
功率 - 最大值：32W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：PG-TO220-FP

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	6.2A
	导通电阻(RDS(on))	750mΩ@10V,3.9A
	耗散功率(Pd)	32W
	阈值电压(Vgs(th))	3.9V@0.26mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	31nC@10V
	输入电容(Ciss)	620pF
	反向传输电容(Crss)	17pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	200pF