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FDC6561AN
2个N沟道 耐压:30V 电流:2.5A
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- 描述
- 这些 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件非常适合需要小体积的所有应用、尤其是希望实现低成本 DC/DC 转换的电池供电系统。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC6561AN
- 商品编号
- C10865
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 145mΩ@4.5V,2.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
商品概述
这些N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合对尺寸要求严苛的应用，尤其适用于电池供电系统中的低成本DC/DC转换。
商品特性
- 2.5 A、30 V。VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.095 Ω
- VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 0.145 Ω
- 开关速度极快
- 低栅极电荷（典型值为2.1 nC）
- SuperSOT-6封装：占位面积小（比标准SO - 8小72%）；厚度薄（仅1mm）