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IPW60R099C6

1个N沟道耐压:600V 电流:37.9A

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描述: N沟道,650V,37.9A,99mΩ@10V
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IPW60R099C6
商品编号: C10462
商品封装: TO-247AC-3
包装方式: 管装
商品毛重: 7.16克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	37.9A
	导通电阻(RDS(on))	99mΩ@10V,18.1A
	耗散功率(Pd)	278W
	阈值电压(Vgs(th))	3.5V@1.21mA

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：37.9A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：99 毫欧 @ 18.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：119nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2660pF @ 100V
功率 - 最大值：278W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3

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	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	119nC@10V
	输入电容(Ciss)	2.66nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	-
	输出电容(Coss)	154pF