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NTD3055L104T4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- 适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD3055L104T4G
- 商品编号
- C10668
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 104mΩ@5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：104 毫欧 @ 6A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：440pF @ 25V
功率 - 最大值：1.5W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：12A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：104 毫欧 @ 6A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：20nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：440pF @ 25V
功率 - 最大值：1.5W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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