NTD2955T4G
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。 适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。 此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路,可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NTD2955T4G商品编号
C10663商品封装
TO-252-2(DPAK)包装方式
编带
商品毛重
0.438克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@10V,6A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 55W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 30nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 750pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
售价
折合1圆盘
1+¥3.5
10+¥2.89
30+¥2.59
100+¥2.07
500+¥1.89
1000+¥1.8¥4500
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
2,076
江苏仓
896
SMT仓
2,083
购买数量(2500个/圆盘,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个2500个/圆盘
近期成交55单
精选推荐