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NTD2955T4G
1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
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- 描述
- 此功率 MOSFET 适用于承受雪崩和换相模式下的高能量。 适用于电源、转换器和功率电机控制中的低压高速开关应用。 此类器件尤其适用于二极管速度和换相安全运行区域非常关键的桥式电路，可针对非预期的瞬时电压提供附加安全裕度。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD2955T4G
- 商品编号
- C10663
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 55W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款功率MOSFET经设计可在雪崩和换向模式下承受高能量。这些器件专为电源、转换器和动力电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区要求严苛的桥式电路，并且能为意外电压瞬变提供额外的安全裕量。
商品特性
-规定雪崩能量-在高温下规定IDSS和VDS(ON)-专为低压、高速开关应用设计,可在雪崩和换向模式下承受高能量-提供无铅封装
应用领域
-电源-转换器-动力电机控制-桥式电路