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NTBLS0D7N06C
1个N沟道 耐压:60V 电流:470A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTBLS0D7N06C
- 商品编号
- C903210
- 商品封装
- H-PSOF-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 470A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.56mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 314W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.73nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 采用小尺寸封装（TOLL），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证，具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准