NVBGS4D1N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:185A 电流:20A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBGS4D1N15MC
- 商品编号
- C898820
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A；185A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W；316W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 88.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.285nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器、开关模式电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on),以最小化传导损耗
- 低栅极电荷QG和电容,以最小化驱动损耗
- 降低开关噪声/电磁干扰
- 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR)产品,符合RoHS标准
应用领域
- 电动工具、电池供电吸尘器
- 无人机、物料搬运设备
- 电池管理系统(BMS)/储能、家庭自动化