FDB0690N1507L
1个N沟道 耐压:150V 电流:115A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB0690N1507L
- 商品编号
- C898544
- 商品封装
- TO-263-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.907克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.775nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
SupreMOS MOSFET是采用深槽填充工艺的下一代高压超结（SJ）技术，使其有别于传统的SJ MOSFET。这种先进的技术和精确的工艺控制可实现最低的比导通电阻（Rsp）、卓越的开关性能和耐用性。SupreMOS MOSFET适用于高频开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、服务器/电信电源、平板电视电源、ATX电源和工业电源应用。
商品特性
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 4.5 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 330 mΩ（典型值）
- 超低栅极电荷（典型栅极电荷（Qg） = 22 nC）
- 低有效输出电容（典型有效输出电容（Coss(eff.)） = 106 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-液晶/发光二极管/等离子电视-照明-太阳能逆变器-交流-直流电源