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FDB029N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:193A
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB029N06
- 商品编号
- C898540
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.27克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 193A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,75A | |
| 耗散功率(Pd) | 231W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.38nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 451pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
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起订量：1 个1个/圆盘
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