BSS84LT7G
1个P沟道 耐压:50V 电流:130mA
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BSS84LT7G
- 商品编号
- C894773
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V,100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容，可将驱动损耗降至最低
- LFPAK4封装，符合行业标准
- 通过AEC-Q101认证，可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准