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CM1230-02CP实物图
  • CM1230-02CP商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CM1230-02CP

CM1230-02CP

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描述
CM1230 是 CSP 尺寸规格的 2、4 和 8 沟道超低电容 ESD 保护二极管阵列系列。它适用于保护具有较高数据和时钟速率的系统,或需要低电容负载的电路。每个沟道都包括一对 ESD 二极管,它们充当箝位二极管将 ESD 电流脉冲转向正或负电源轨。在正负电源轨之间集成一个齐纳二极管。这样可以保护 VCC 电源轨免受 ESD 尖峰影响,同时不再需要旁通电容器来吸收接地的正 ESD 尖峰。每个沟道都可以安全地消除 ± 8kV的 ESD 尖峰,满足 IEC61000-4-2 国际标准的 4 级要求,以及符合 IEC61000-4-2 技术规范的 ±15kV 空气放电要求。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
CM1230-02CP
商品编号
C894775
商品封装
WLCSP-4(1x1)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静电和浪涌保护(TVS/ESD)
反向截止电压(Vrwm)3.3V
钳位电压9.8V
峰值脉冲功率(Ppp)-
属性参数值
击穿电压6V
工作温度-40℃~+85℃@(Ta)
类型ESD

商品概述

CM1230系列产品为采用CSP封装的2通道、4通道和8通道超低电容ESD保护二极管阵列。它非常适合保护具有高数据和时钟速率的系统,或需要低容性负载的电路。每个通道由一对ESD二极管组成,这些二极管作为钳位二极管,将ESD电流脉冲导向正电源轨或负电源轨。在正、负电源轨之间集成了一个齐纳二极管。VCC轨受到保护,可抵御ESD冲击,无需使用旁路电容来吸收流向地的正向ESD冲击。每个通道能够安全消散±8 kV的ESD冲击,符合IEC61000 - 4 - 2国际标准的4级要求,以及IEC61000 - 4 - 2规范中的±15 kV空气放电要求。按照MIL - STD - 883(方法3015)人体模型(HBM)ESD规范,引脚可承受大于±15 kV的接触放电。 该器件非常适合为LCD显示屏和相机接口采用高速串行接口解决方案的下一代无线手机。在这些设计中,当基带处理器和LCD驱动器/控制器之间传输高数据速率时,无法容忍超过1.5 pF的电容。较高的容性负载通常会导致上升和下降时间变慢,从而影响电路功能和无线手机的运行。CM1230采用了OptiGuard技术,提高了组装时的可靠性。CM1230采用节省空间的薄型芯片级封装,符合RoHS标准且无铅。

商品特性

  • 提供2通道、4通道和8通道ESD保护
  • 符合IEC61000 - 4 - 2 4级标准,提供±8 kV接触放电和±15 kV空气放电ESD保护
  • 典型负载电容低至0.8 pF
  • 电容随温度和电压的变化极小
  • 通道I/O到地的典型电容差为0.02 pF,非常适合差分信号
  • 通道I/O到I/O的典型电容为0.15 pF
  • 齐纳二极管保护电源轨,无需外部旁路电容
  • 每个I/O引脚可承受超过1000次ESD冲击
  • 提供4凸块、6凸块和10凸块芯片级封装(CSP)
  • 采用OptiGuard涂层,提高组装时的可靠性
  • 这些器件无铅且符合RoHS标准

应用领域

  • 移动手机、笔记本电脑、数码相机、MP3播放器、个人数字助理(PDA)等设备的I/O端口保护,包括USB、1394和串行ATA接口
  • 采用高速串行接口的无线手机中的LCD和相机数据线
  • 无线手机

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