NDS0610-G
1个P沟道 耐压:60V 电流:120mA
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDS0610-G
- 商品编号
- C893364
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款P沟道增强型场效应晶体管采用安森美半导体专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺旨在最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速开关特性。它们只需付出极小的努力,就能在大多数需要高达120mA直流电流的应用中使用,并且能够提供高达1A的电流。 该产品特别适用于需要低电流高端开关的低压应用。
商品特性
- 0.12 A,-60 V
- ↓ 当VGS = -10 V时,RDS(on) = 10 Ω
- ↓ 当VGS = -4.5 V时,RDS(on) = 20 Ω
- 电压控制P沟道小信号开关
- 用于低RDS(on)的高密度单元设计
- 高饱和电流
应用领域
- 直流-直流转换器
- 无线充电器
- 功率负载开关
- 电源管理与保护
- 电池管理