温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V；3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V；23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.255nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 815pF |
商品概述
该器件在双PQFN封装中集成了两个专用N沟道MOSFET。开关节点已实现内部连接，便于同步降压转换器的布局和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™（Q2）的设计可实现最佳功率效率。
商品特性
- Q1：N沟道
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 13 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 8 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 11 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 11 mΩ
- Q2：N沟道
- 栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 18 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 5 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V、漏极电流（ID） = 17 A时，最大漏源导通电阻（rDS(on)） = 5.2 mΩ
- 低电感封装可缩短上升/下降时间，从而降低开关损耗
- MOSFET集成可实现最佳布局，降低电路电感并减少开关节点振铃
- 符合RoHS标准
应用领域
- 计算机领域
- 通信领域
- 通用负载点应用
- 笔记本电脑VCORE