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VBA3316D
2个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款半桥N+N型场效应管，是一款半桥N+N型场效应管，能够提供稳定可靠的功率输出，并具有较低的导通电阻和高效的功率转换特性，适合用于要求高性能和高可靠性的电源控制和驱动模块中。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；8A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA3316D
- 商品编号
- C7541189
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 586pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品概述
FKBB3105是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 FKBB3105符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 槽栅功率 MOSFET
- 100% 进行单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC