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VBN1606
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应管，采用Trench工艺制造，适用于各种需要高功率、高效率的电子应用领域。TO262；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN1606
- 商品编号
- C7541202
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.196nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 336pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 708pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装，尺寸小，高度仅1.07 mm
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-适配器开关-笔记本电脑