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VBL1204N
1个N沟道 耐压:200V
描述
TO263；N—Channel沟道200V；45A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBL1204N商品编号
C7541196商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
2.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V |
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