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VBQF1410
1个N沟道 耐压:40V 电流:30A
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- 描述
- DFN8(3X3)；N—Channel沟道,40V；28A；RDS(ON)=13mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF1410
- 商品编号
- C7541206
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 155pF |
商品特性
- 第四代沟槽功率MOSFET
- 针对最低漏源电阻（RDS）-输出电容电荷（Q_oss）品质因数（FOM）进行优化
- 100%进行栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 栅漏电荷（Q_gd）与栅源电荷（Q_gs）之比 < 1，优化开关特性
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
-同步整流-DC/DC转换器-电机驱动开关-电池和负载开关