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VBMB18R07S
1个N沟道 耐压:800V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率MOSFET产品，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种功率电子应用场景。TO220F；N—Channel沟道,800V；7A；RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB18R07S
- 商品编号
- C7541307
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 373pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 48.5nC（典型值）。
- VDSS = 650V，ID = 15A
- RDS(导通)：0.52 Ω（最大值），@ VG = 10 V
- 100% 雪崩测试
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