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VBQG2317
1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单P型功率MOSFET，采用Trench技术，适用于各种电路和模块，特别适合在有限空间内进行功率控制。QFN6(2X2)；P—Channel沟道,-30V；-10A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQG2317
- 商品编号
- C7541209
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V；30mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@8V；23nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤