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VBL11515
1个N沟道 耐压:150V 电流:80A
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,150V；80A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL11515
- 商品编号
- C7541210
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V；17mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 378W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 535pF |
商品特性
~~- 沟槽功率MOSFET-散热增强型DFN2X2封装-占位面积小-低导通电阻-符合RoHS标准-无卤
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关