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VBN165R07
1个N沟道 耐压:650V
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- 描述
- TO262；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=1300mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN165R07
- 商品编号
- C7541272
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 530W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征了电容、雪崩电压和电流
- 低RDS(on)
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-开关模式电源(SMPS)-不间断电源-高速功率开关-硬开关和高频电路