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VBC2311
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- TSSOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBC2311
- 商品编号
- C7541207
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@450uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 R² 和 UIS 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC