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VBL1602
1个N沟道 耐压:60V 电流:270A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench技术制造，高性能电路控制和大功率应用的高性能MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=2.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL1602
- 商品编号
- C7541197
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 860pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(50个/管，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个50个/管
总价金额：
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