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VBN1615
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,60V；60A；RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN1615
- 商品编号
- C7541203
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.3nF |
商品特性
- 先进的制程技术
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 无卤
- I2PAK(TO - 262)
- N沟道MOSFET
应用领域
- 原边开关
- 同步整流
- 直流/交流逆变器
- LED背光