温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBP1206N
1个N沟道 耐压:200V
- 描述
- TO247；N—Channel沟道,200V；35A；RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP1206N
- 商品编号
- C7541205
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 10.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 56mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 表面贴装
- 薄型通孔封装
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 工作温度达 150 °C
- 快速开关
- 具备完整雪崩额定值
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC