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VBNCB1206
1个N沟道 耐压:20V 电流:28.8A
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,20V；95A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBNCB1206
- 商品编号
- C7541190
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V；7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 171nC@10V；81.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF@15V | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
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