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VBQF5325
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:8A 6A
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- 描述
- DFN8(3X3)；N+P—Channel沟道,±30V；8/-6A；RDS(ON)=13/14mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=±1~±3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF5325
- 商品编号
- C7541194
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V；40mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W；2.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41.5nC@10V；6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF；900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF；37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF；95pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合欧盟2011/65/EU号RoHS指令
应用领域
- 或门应用-服务器-直流-直流转换