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VBMB2311
1个P沟道 耐压:30V
- 描述
- TO220F；P—Channel沟道,-30V；-55A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB2311
- 商品编号
- C7541198
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 765pF |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤