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VBN1405
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
- 描述
- TO262；N—Channel沟道,40V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBN1405
- 商品编号
- C7541201
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品特性
-沟槽功率MOSFET-结温175 °C-高温下高阈值电压-符合RoHS标准-N沟道MOSFET