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VBQA4317
2个P沟道 耐压:30V 电流:28A
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- 描述
- DFN8(5X6)；2个P—Channel沟道,-30V；-30A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA4317
- 商品编号
- C7541192
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V；21mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 22.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 322pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 385pF |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义为无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻封装,尺寸小,高度仅1.07 mm
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-负载开关-适配器开关-笔记本电脑