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VBNCB1303
1个N沟道 耐压:30V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFE，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。TO262；N—Channel沟道,30V；90A；RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBNCB1303
- 商品编号
- C7541191
- 商品封装
- TO-262
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81.5nC@4.5V；171nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 970pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.725nF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤标准
- 具有低热阻的沟槽功率MOSFET封装
- 进行100%栅极电阻（Rg）和非钳位感性开关（UIS）测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC