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AO3402-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压30V，连续电流高达5A。具备卓越的低导通电阻和快速开关特性，专为充电器、电源转换及各类高效电子应用设计，实现稳定可靠的功率管理与控制。
- 商品型号
- AO3402-HXY
- 商品编号
- C6285736
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0369克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDV303N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2.3A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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