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FDN337N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，额定电压30V，最大连续电流5A。具备低导通电阻和高速开关性能，广泛应用于充电设备、电源转换器及各类高效率电子系统中，提供稳定可靠的功率管理解决方案。
- 商品型号
- FDN337N-HXY
- 商品编号
- C6285735
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0348克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NDS331N采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V，ID = 2.3A
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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