FDN337N-HXY
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装,额定电压30V,最大连续电流5A。具备低导通电阻和高速开关性能,广泛应用于充电设备、电源转换器及各类高效率电子系统中,提供稳定可靠的功率管理解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
FDN337N-HXY商品编号
C6285735商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.0348克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 40mΩ@10V |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 1W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
输入电容(Ciss@Vds) | 310pF@15V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 35pF@15V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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20+¥0.15736¥0.1967
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3000+¥0.09408¥0.1176¥352.8
9000+¥0.08528¥0.1066¥319.8
21000+¥0.08048¥0.1006¥301.8
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库存总量
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购买数量(3000个/圆盘,最小起订量 20 个 )
个
起订量:20 个3000个/圆盘
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